- Электроника
- Комплектующие для ПК
- Оперативная память
- Micron
−44%
Micron Оперативная память 4Gb MT16JTF51264AZ-1G6M1 1x4 ГБ (MT16JTF51264AZ-1G6M1)
О товаре
Перейти к описанию
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Емкость одного модуля
4 ГБ
Тип памяти
DDR3
Пропускная способность, Мб/с
12800
Товар закончился
38,19 BYN
Доставка недоступна
Часто задаваемые вопросы
Продавец
Перейти в магазин
- 4,9 рейтинг товаров
- 98% вовремя
- Безопасная оплата онлайн
- Возврат 7 дней
Описание
Оперативная память1 модуль памяти DDR3
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
16 чипов
объем модуля 4 ГБ
форм-фактор DIMM, 240-контактный
частота 1600 МГц
CAS Latency (CL): 11
16 чипов
Комплектация
Модуль памяти
Основные
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Емкость одного модуля
- 4 ГБ
- Тип памяти
- DDR3
- Пропускная способность, Мб/с
- 12800
- Тактовая частота, МГц
- 1600
- Форм-фактор RAM
- DIMM
Конструкция
- Радиатор
- Нет
- Низкопрофильная (Low Profile)
- Нет
- Подсветка
- Нет
- Размеры, мм
- 133,35x30,35x3
- Вес товара, г
- 50
Тайминги
- CAS Latency (CL), тактов
- 11
- Тайминги
- 11-11
- RAS to CAS Delay (tRCD), тактов
- 11
- Row Precharge Delay (tRP), тактов
- 11
Дополнительные
- Артикул
- 1590774215
- Напряжение питания, В
- 1.8
- Тип поставки
- OEM
- Страна-изготовитель
- Китай
Подборки товаров в категории Оперативная память
Отзывы о товаре
0
Micron Оперативная память 4Gb MT16JTF51264AZ-1G6M1 1x4 ГБ (MT16JTF51264AZ-1G6M1)
Нет оценок
Сначала полезные
Здравствуйте! У вас имеется оперативная память с пропускной способносью PC3-10600, 1333 Мгц MT16JTF51264AZ-1G4M1?
Алекс
Как правильно задавать вопросы?
Будьте вежливы и спрашивайте о товаре, на карточке которого вы находитесь
Если вы обнаружили ошибку в описанием товара, воспользуйтесь функцией
Как отвечать на вопросы?
Отвечать на вопросы могут клиенты, купившие товар, и официальные представители.
Выбрать «Лучший ответ» может только автор вопроса, если именно этот ответ ему помог.